[发明专利]利用含钽磁合金作为上磁层的层叠磁介质无效
| 申请号： | 200610110725.1 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1917045A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 莫哈马德·S·米尔扎马尼;唐凯 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及层叠磁记录介质，其包括基本去耦的两磁层。上磁层优选为包括钽的钴合金。上磁层中的钽提供了以良好热稳定性改善介质SNR的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 含钽磁 合金 为上 层叠 介质 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁记录介质，包括：最接近于该薄膜磁记录介质的表面的上磁层，是包括钽的合金；该上磁层之下的非磁间隔层；该非磁间隔层之下的下磁层，其从所述上磁层基本去耦。
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