[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610110800.4 | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1897306A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 金明寿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该MOSFET包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定部分从而定义有源区的器件隔离区；源极区和漏极区，在该有源区内关于沟道区彼此间隔开；以及形成在该源极区和漏极区之间在该有源区上的栅极电极。此外，该MOSFET还包括形成在该有源区和该栅极电极之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括设置在该栅极电极的中心部分下的中心栅极绝缘层和设置在该栅极电极的边缘部分下从而具有与所述中心栅极绝缘层的底部齐平的底表面以及突起从而比所述中心栅极绝缘层的上表面高的上表面的边缘栅极绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定部分从而定义有源区的器件隔离区；源极区和漏极区，在该有源区内关于沟道区彼此间隔开；形成在该源极区和漏极区之间在该有源区上的栅极电极；以及形成在该有源区和该栅极电极之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括设置在该栅极电极的中心部分下的中心栅极绝缘层和设置在该栅极电极的边缘部分下从而具有与所述中心栅极绝缘层的底表面齐平的底部以及突起从而比所述中心栅极绝缘层的上表面高的上表面的边缘栅极绝缘层。
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