[发明专利]存储设备以及半导体设备无效
| 申请号： | 200610110822.0 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1897158A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 森宽伸;八野英生;冈崎信道 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储设备，包括以矩阵形式排列的存储单元。每个存储单元包括：存储元件，当施加第一阈值电平或更高的电信号时，该存储元件的电阻从高状态变为低状态，并且当施加其极性不同于第一阈值电平或更高的电信号的极性的第二阈值电平或更高的电信号时，该存储元件的电阻从低状态变为高状态；以及电路元件，与该存储元件串联。在把擦除电压施加到当前正在执行擦除的至少一个存储单元的状态下，从该施加开始经过预定时间后，将擦除电压施加到随后将要执行擦除的至少一个存储单元上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 设备 以及 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种存储设备，包括：多个以矩阵形式排列的存储单元，多个存储单元中的每个包括存储元件，具有以下特性，当施加第一阈值电平或更高的电信号时其电阻从高状态变为低状态，以及当施加第二阈值电平或更高的电信号时，电阻从低状态变为高状态，所述第二阈值电平或更高的电信号的极性不同于第一阈值电平或更高的电信号的极性；以及电路元件，与所述存储元件串联，其中，在将擦除电压施加到包括当前正在执行擦除的至少一个存储单元的预定单元的状态下，从把擦除电压施加到包括当前正在执行擦除的存储单元的预定单元时起经过预定的时间后，擦除电压被施加到包括随后将要执行擦除的至少一个存储单元的预定单元，以在存储单元上执行擦除。
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