[发明专利]图像感测元件及其制法有效

专利信息
申请号: 200610110829.2 申请日: 2006-08-15
公开(公告)号: CN101127323A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 温增飞;罗斯裘萨派;鄢如心;林家辉;施俊吉;黄建尧;柯登渊;彭念祖 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;艾塔圣斯股份有限公司
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种图像感测元件及其制法。此制法是于具有像素阵列区、光学黑区、及逻辑区的半导体基底上形成一平坦化层,以覆盖像素阵列区中的光感测单元阵列,再于此平坦化层上相对应于像素阵列区及逻辑区之处形成一图案化金属层,但于光学黑区上方则不形成此种图案化金属层。位于光学黑区的光学黑层是于保护层形成后及彩色滤光阵列形成之前,在低于约400℃下所形成,优选为包括金属材料。
搜索关键词: 图像 元件 及其 制法
【主权项】:
1.一种制造图像感测元件的方法,包括:提供半导体基底,该半导体基底包括有像素阵列区、逻辑区、及光学黑区位于该像素阵列区与该逻辑区之间,该像素阵列区包括光感测单元阵列及多个隔离区以隔离各光感测单元;于该半导体基底上形成第一平坦化层,覆盖该光感测单元阵列;于位于该像素阵列区及该逻辑区的该第一平坦化层上形成图案化金属层;于该半导体基底上形成第二平坦化层,且该第二平坦化层覆盖该图案化金属层;于低于400℃下,于位于该光学黑区的该第二平坦化层上形成光学黑层;于位于该像素阵列区的该第二平坦化层上形成彩色滤光阵列;于该光学黑层及该彩色滤光阵列上形成第三平坦层;于该第三平坦层上形成多个微透镜,其中该微透镜是设置于相对应的该彩色滤光阵列上方;及移除位于该逻辑区的该图案化金属层上方的各层,以暴露位于该逻辑区的该图案化金属层以作为接合垫。
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