[发明专利]图像感测元件及其制法有效
申请号: | 200610110829.2 | 申请日: | 2006-08-15 |
公开(公告)号: | CN101127323A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 温增飞;罗斯裘萨派;鄢如心;林家辉;施俊吉;黄建尧;柯登渊;彭念祖 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;艾塔圣斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种图像感测元件及其制法。此制法是于具有像素阵列区、光学黑区、及逻辑区的半导体基底上形成一平坦化层,以覆盖像素阵列区中的光感测单元阵列,再于此平坦化层上相对应于像素阵列区及逻辑区之处形成一图案化金属层,但于光学黑区上方则不形成此种图案化金属层。位于光学黑区的光学黑层是于保护层形成后及彩色滤光阵列形成之前,在低于约400℃下所形成,优选为包括金属材料。 | ||
搜索关键词: | 图像 元件 及其 制法 | ||
【主权项】:
1.一种制造图像感测元件的方法,包括:提供半导体基底,该半导体基底包括有像素阵列区、逻辑区、及光学黑区位于该像素阵列区与该逻辑区之间,该像素阵列区包括光感测单元阵列及多个隔离区以隔离各光感测单元;于该半导体基底上形成第一平坦化层,覆盖该光感测单元阵列;于位于该像素阵列区及该逻辑区的该第一平坦化层上形成图案化金属层;于该半导体基底上形成第二平坦化层,且该第二平坦化层覆盖该图案化金属层;于低于400℃下,于位于该光学黑区的该第二平坦化层上形成光学黑层;于位于该像素阵列区的该第二平坦化层上形成彩色滤光阵列;于该光学黑层及该彩色滤光阵列上形成第三平坦层;于该第三平坦层上形成多个微透镜,其中该微透镜是设置于相对应的该彩色滤光阵列上方;及移除位于该逻辑区的该图案化金属层上方的各层,以暴露位于该逻辑区的该图案化金属层以作为接合垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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