[发明专利]固体摄像设备无效
申请号: | 200610111010.8 | 申请日: | 2006-08-11 |
公开(公告)号: | CN1941388A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 太田宗吾 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种固体摄像设备,其包括用于向阱区供应参考电压的阱触点和阱配线,甚至当像素面积减小时,其也能抑制接收到光量的降低。作为阱配线,使用阱主配线4,其是利用与各个晶体管的栅极相同的材料、以与形成各个晶体管的栅极相同的工艺形成的。在像素区(PXR)中,阱配线和阱触点包括阱主配线4、直接在阱主配线4上方的第一配线层10中的阱副配线6、栅电极层9中设置的触点3和5。在第二配线层11上方的配线层中没有形成阱配线和阱触点。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 设备 | ||
【主权项】:
1、一种固体摄像设备,包括在半导体衬底上的像素区和外围电路区,该半导体衬底具有第一导电类型的阱区,所述固体摄像设备包括:设置在所述阱区中的多个第二导电类型的光电二极管;设置在所述阱区中的多个第二导电类型的浮动扩散;在所述半导体衬底上为每个所述光电二极管设置的多个传输栅极;以及在形成所述传输栅极的同一层上形成的多个阱主配线,其中经由所述阱主配线从所述外围电路区向所述像素区内的所述阱区供应参考电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的