[发明专利]半导体器件以及其制造方法

摘要

通过在一对上、下电极之间提供有机化合物来形成存储器元件。但是，当在含有有机化合物的层上形成电极时，由于形成电极时的温度有时会影响到含有有机化合物的层，所以形成电极的温度受到限制。由于这种温度的限制，电极的形成方法也受到限制。因此，会产生不能形成所期望的电极，且妨碍元件实现小型化的问题。本发明提供一种将存储器元件以及开关元件配置在具有绝缘表面的衬底上的半导体器件，其中，所述元件包括布置在同一平面上的第一电极、第二电极和含有有机化合物的层，并且，所述含有有机化合物的层被形成在所述第一电极和所述第二电极之间，并且，电流从所述第一电极流到所述第二电极，所述第一电极电连接到所述开关元件。

主权项

1.一种半导体器件，包括：配置在具有绝缘表面的衬底上的开关元件；以及配置在所述衬底上且与所述开关元件电连接的存储器元件，其中，所述存储器元件包括第一电极、第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含有有机化合物的层，并且，所述第一电极、所述第二电极、以及所述含有有机化合物的层被形成在同一平面上，并且，电流从所述第一电极流到第二电极。