[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法有效
| 申请号： | 200610111072.9 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1917143A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 我孙子良隆;广江敏朗 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/67;B08B3/04;G05D16/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种衬底处理设备，其在部分地形成于腔室中的化学溶液处理室中进行化学溶液处理。在该化学溶液处理的过程中，该衬底处理设备密封该化学溶液处理室，测量该化学溶液处理室中的压力，并且根据测量值控制化学溶液处理室中的压力。无论该衬底处理设备所处的大气压如何，该化学溶液处理室能够受控至预定的压力。该衬底处理设备还允许对最小需求量的区域进行有效的压力控制。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理设备，其对衬底进行预定处理，所述衬底处理设备包括：a)腔室；b)分隔构件，其分隔出部分地形成在所述腔室中的处理间；c)处理部，其使用所述处理间中的处理溶液处理所述衬底；d)测量部，其测量所述处理间中的压力；以及e)压力调节部，其根据所述测量部的测量结果调节所述处理间中的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
