[发明专利]主动阵列装置无效
申请号: | 200610111096.4 | 申请日: | 2006-08-15 |
公开(公告)号: | CN101075611A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 许育祯;刘全丰;郭家豪 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种主动阵列装置,包含有主动区和静电放电(Electrostatic Discharge;ESD)保护电路。此主动区包含有扫描线和数据线。ESD保护电路包含有第一电源线、第二电源线、第一二极管、和第二二极管。第一二极管电性连接于扫描线/数据线和第一电源线之间,而第二二极管电性连接于第二电源线和扫描线/数据线之间。当正或负ESD电压被施加于扫描线或数据线时,ESD电流通过第一二极管或第二二极管被传导至第一电源线或第二电源线,以保护主动阵列装置的装置或电路而不被ESD的震击所损坏。 | ||
搜索关键词: | 主动 阵列 装置 | ||
【主权项】:
1.一种主动阵列装置,至少包含:一主动区,具有多条扫描线和多条数据线;以及一静电放电保护电路,至少包含:一第一电源线和一第二电源线,其中施加一第一电压(V1)至该第一电源线,施加一第二电压(V2)至该第二电源线,而该第一电压(V1)不等于该第二电压(V2);至少一第一二极管,其中该第一二极管的一正端电性连接至该扫描线或该数据线,而该第一二极管的一负端电性连接至该第一电源线;以及至少一第二二极管,其中该第二二极管的一正端是电性连接至该第二电源线,而该第二二极管的一负端是电性连接至该扫描线或该数据线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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