[发明专利]发光元件、发光装置以及电子设备有效
申请号: | 200610111189.7 | 申请日: | 2006-08-10 |
公开(公告)号: | CN1913192A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 大泽信晴;岩城裕司;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/14 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是提供具有提高的发光效率、降低的驱动电压以及对于驱动时间改进的损耗程度的发光元件。根据包括第一电极;第二电极和两者之间形成的发光层叠体的发光元件,该发光层叠体至少具有按以下顺序的第一层、第二层和第三层,该第一层是具有载流子输运性质的层,该第三层是包括发射中心材料和其中分散了发射中心材料的基质材料的层,该第二层具有大于第一层且等于或大于基质材料的能隙,且该第二层具有大于等于0.1nm且小于5nm的厚度。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,包括:第一电极;第二电极;以及形成于第一电极和第二电极之间的发光层叠体,其中,所述发光层叠体至少包括具有载流子输运性质的第一层、第二层和第三层,其中所述第二层形成于第一层和第三层之间,其中,所述第三层包括发射中心材料和其中分散了所述发射中心材料的基质材料,其中,所述第二层具有大于第一层的能隙且等于或大于基质材料的能隙的能隙,以及其中,所述第二层具有大于等于0.1nm且小于5nm的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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