[发明专利]氮化物半导体垂直腔面发射激光器无效
| 申请号： | 200610111208.6 | 申请日： | 2006-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1917312A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·W·科尔扎因;戴维·P·保尔 | 申请（专利权）人： | 安华高科技ECBUIP（新加坡）私人有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该VCSEL包括具有垂直生长部和横向生长部的基区。垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于第一光学反射器至少一部分上的氮化物半导体材料。有源区具有沿垂直方向位于基区的横向生长部至少一部分上的至少一个氮化物半导体材料量子阱，并包括第一导电类型的第一掺杂剂。接触区包括沿横向位于有源区附近的氮化物半导体材料和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂。第二光学反射器沿垂直方向位于有源区上，并与第一光学反射器一起形成垂直光学腔，该光学腔与有源区至少一个量子阱的至少一部分重叠。本发明还描述了制造VCSEL的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光器，包括：第一光学反射器；基区，所述基区具有垂直生长部和横向生长部，所述垂直生长部沿横向位于所述第一光学反射器附近，所述横向生长部包括沿垂直方向位于所述第一光学反射器的至少一部分上的氮化物半导体材料；有源区，所述有源区具有沿垂直方向位于所述基区横向生长部的至少一部分上的至少一个氮化物半导体量子阱，所述有源区包括第一导电类型的第一掺杂剂；接触区，所述接触区包括沿横向位于所述有源区附近的氮化物半导体材料和第二导电类型的第二掺杂剂，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第二光学反射器，沿垂直方向位于所述有源区上，并且与所述第一光学反射器一起形成垂直光学腔，所述光学腔在垂直方向上与所述有源区的至少一个量子阱的至少一部分重叠。
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