[发明专利]高提取效率发光装置无效
| 申请号： | 200610111408.1 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101127379A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 苏忠杰 | 申请（专利权）人： | 苏忠杰 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟;王允方 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光装置，其具有一衬底和一包括一电激发光材料的发光层，其中所述发光层(P－N接面)被一P型包覆层(具有光可穿透的一P型电极层)和一N型包覆层(具有光可穿透的一N型电极层)所包夹。所述发光装置的特征为一光控制部分配置于所述发光装置的一光射出表面上，所述光控制部分至少包括一光隧穿层，所述光隧穿层对于来自发光层的主要发光波长具有与所述衬底、所述包覆层和所述电极层的折射率相比较小的折射率。当由所述发光层所发出的光以一大于临界角的角度入射外延层与周围介质之间的界面时，通过光隧穿效应造成光提取效率增加。来自光控制部分的隧穿光可以是偏极的，藉此，实际上可实现一偏极发光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 提取 效率 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，包括：一发光部分，包括：一衬底，其为光可穿透的；一发光层，其由一P型包覆层和一N型包覆层所包夹，并为光可穿透的；所述P型包覆层，其位于所述发光层的一侧，并为光可穿透的；所述N型包覆层，其位于所述发光层的另一侧，并为光可穿透的；一P型电极层，其位于所述P型包覆层上；以及一N型电极层，其位于所述N型包覆层上，其特征为所述发光装置进一步包括：一光控制部分，包括：一光隧穿层，其配置于所述发光装置的光射出表面上，并具有对于自所述发光层发出的主要发光波长与所述衬底、所述包覆层和所述电极层的折射率相比较小的折射率，且所述光隧穿层的厚度小于所述主要发光波长。
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