[发明专利]非挥发性记忆元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆元件及其制造方法。该非挥发性记忆元件的制造方法是先在基底中形成多个沟渠；并于沟渠中填入第一导体层，以做为埋入式位元线；接着，在基底上形成电荷储存层，覆盖基底表面以及第一导体层的表面；之后，在上述电荷储存层上形成第二导体层，以做为字元线。该非挥发性记忆元件包括多数个具有掺杂的第一导体层、基底、一电荷储存层及多数个第二导体层。本发明非挥发性记忆元件及其制造方法可以避免聚合物残留造成字元线直接与位元线的掺杂区接触所导致的短路问题。

主权项

1.一种非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底中形成多数个沟渠；在该些沟渠中分别形成一第一导体层，以做为多数个埋入式位元线；在该基底上形成一电荷储存层，覆盖该基底表面以及该些第一导体层层的表面；以及在该电荷储存层上形成多数个第二导体层，以做为多数个字元线。