[发明专利]沉积Ge－Sb－Te薄膜的方法有效
| 申请号： | 200610111535.1 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1920092A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李正旭;赵炳哲;李起薰;徐泰旭 | 申请（专利权）人： | 株式会社整合制程系统 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C16/30;C23C16/448;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国450－0*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供沉积锗－锑－碲薄膜的方法，其包含：锗－锑－碲薄膜形成步骤，其将包含锗、锑和碲中任一者的第一前驱体、包含锗、锑和碲中另一者的第二前驱体以及包含锗、锑和碲中其他一者的第三前驱体馈入安装晶片的反应室中并从反应室中净化，且在所述晶片上沉积所述锗－锑－碲薄膜；以及反应气体馈入步骤，其在馈入第一到第三前驱体中的任一者时馈入反应气体。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 ge sb te 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沉积锗-锑-碲薄膜的方法，其特征在于其包括：锗-锑-碲薄膜形成步骤，将包含锗、锑和中任一者的第一前驱体、包含锗、锑和碲中另一者的第二前驱体以及包含锗、锑和碲中其他一者的第三前驱体馈入安装晶片的反应室中并从所述反应室中净化，且在所述晶片上形成所述锗-锑-碲薄膜；以及反应气体馈入步骤，在馈入所述第一前驱体到第三前驱体中的任一者时馈入反应气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
