[发明专利]减厚的多晶片堆叠封装构造无效
| 申请号： | 200610111541.7 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131991A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林鸿村 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种减厚的多晶片堆叠封装构造，主要包含一导线架的一间隔承座与复数个引脚、一第一晶片、一第二晶片以及一封胶体。该第一晶片的主动面上形成有复数个第一电极，并电性连接至部分的该些引脚。该第二晶片的主动面上是形成有复数个第二电极，并电性连接至部分的该些引脚。该封胶体是用以结合该间隔承座、该些引脚、该第一晶片与该第二晶片。其中，第一晶片的主动面是贴附于该间隔承座的下方，第二晶片的第二背面是贴附于该间隔承座的上方，并且该间隔承座是不遮盖至该第一晶片的该些第一电极，而可达到多晶片正向堆叠的减厚功效。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 堆叠 封装 构造 | ||
【主权项】：
1.一种减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其包含：一导线架的一间隔承座与复数个引脚；一第一晶片，其具有一第一主动面与一第一背面，该第一主动面上形成有复数个第一电极，其电性连接至部分的该些引脚；一第二晶片，其具有一第二主动面与一第二背面，该第二主动面上形成有复数个第二电极，其电性连接至部分的该些引脚；以及一封胶体，用以结合该间隔承座、该些引脚、该第一晶片与该第二晶片；其中，第一晶片的第一主动面是贴附于该间隔承座的下方，第二晶片的第二背面是贴附于该间隔承座的上方，并且该间隔承座是不遮盖至该第一晶片的该些第一电极。
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