[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200610111820.3 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101009266A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法，包括：形成具有开口的第一介电层于基板上。改质开口所露出的第一介电层表面后，沿着改质部分形成保护介电层。接着将开口填满导电材料，并将改质部分移除以形成气隙。气隙位于保护介电层与保留的第一介电层之间。本发明所述的半导体结构及其形成方法提升了元件及封装的可靠度，在使用同样的ILD材料下降低了内连线之间的电容。所有的ILD薄膜维持原有的强度，使元件及封装维持一样的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：一半导体基板；一第一介电层，位于该基板上；一导电图案，位于该第一介电层中，且具有一侧壁；以及一保护介电层，位于该导电图案的侧壁；其中该第一介电层具有一气隙，该气隙位于该保护介电层与该第一介电层之间。
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