[发明专利]平板式膜电极组层结构无效
申请号: | 200610111971.9 | 申请日: | 2006-08-28 |
公开(公告)号: | CN101136476A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 许锡铭;张仓铭;黄纬莉 | 申请(专利权)人: | 英属盖曼群岛商胜光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/86 | 分类号: | H01M4/86;H01M8/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 开曼群岛大开曼岛施高*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 一种平板式膜电极组层结构,包括一片上框板、至少一个以上的膜电极组、以及一片下框板。上框板具有至少一个以上的第一开口;下框板具有至少一个以上的第二开口,且该些第二开口分别与该些第一开口对应;膜电极组分别夹层于对应该些第一开口与该些第二开口之间。其中上框板、该些膜电极组、下框板自上而下依序积层堆栈且利用超音波振动频率熔接手段,而将上框板、该些膜电极组、下框板熔接接合成单片结构,以及上框板与下框板的材质选用适合于超音波熔接的材质。 | ||
搜索关键词: | 平板 电极 结构 | ||
【主权项】:
1.一种平板式膜电极组层结构,其特征在于:包括:一上框板,其中该上框板具有至少一个以上的第一开口;一下框板,其中该下框板具有至少一个以上的第二开口,且该些第二开口分别与该些第一开口对应;至少一个以上的膜电极组,分别夹层于在对应该些第一开口与该些第二开口之间;其中该上框板、该些膜电极组、该下框板自上而下依序积层堆栈且利用超音波振动频率熔接手段,而将该上框板、该些膜电极组、该下框板熔接接合成单片结构,以及该上框板与该下框板的材质选用适合于超音波熔接的材质;以及其中该膜电极组,至少包括一片质子交换膜,且该质子交换膜未被作为该膜电极组的区域设置至少一个以上的贯通孔。
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