[发明专利]纳米线发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200610112016.7 | 申请日: | 2006-08-25 |
公开(公告)号: | CN1921160A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 文元河;金东云;洪钟波 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李伟;吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种纳米线发光器件及其制造方法。在该发光器件中,形成有第一和第二导电型包覆层,活性层设置于其间。第一和第二导电型包覆层和活性层中的至少之一是半导体纳米线层,半导体纳米线层通过准备由半导体纳米线和有机粘结剂所组成的混合物层并从其中除去有机粘结剂而获得。 | ||
搜索关键词: | 纳米 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米线发光器件,包括第一和第二导电型包覆层和设置于其间的活性层,其中,所述第一和第二导电型包覆层和所述活性层中的至少之一是半导体纳米线层,所述半导体纳米线层通过准备由半导体纳米线和有机粘结剂组成的混合物层并从其中除去所述有机粘结剂而获得。
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