[发明专利]光刻图形的形成方法有效
| 申请号： | 200610112157.9 | 申请日： | 2006-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1916767A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕;林进祥;林本坚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是提供一种光刻图形的形成方法，包含：形成一第一材料层于一基底上，上述第一材料层实质上不含硅；形成一图形化的抗蚀剂层于上述第一材料层上，上述图形化的抗蚀剂层包含至少一抗蚀剂开口于其中；形成含硅的一第二材料层于上述图形化的抗蚀剂层上；以及以上述第二材料层为罩幕，形成一开口于上述第一材料层中。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻图形的形成方法，其特征在于，所述光刻图形的形成方法包含：形成一第一材料层于一基底上，该第一材料层实质上不含硅；形成一图形化的抗蚀剂层于该第一材料层上，该图形化的抗蚀剂层包含至少一抗蚀剂开口于其中；形成一第二材料层于该图形化的抗蚀剂层上，该第二材料层含硅；以及以该第二材料层为罩幕，在该第一材料层开口。
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