[发明专利]太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法无效
| 申请号： | 200610112407.9 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101127432A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 李路;刘峰奇;刘俊岐;邵烨;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/34;H01S5/343;H01L21/20;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤2：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长N型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤3：在下欧姆接触层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长N型砷化镓上欧姆接触层，用来制作下欧姆电极，完成太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 量子 级联 半导体激光器 材料 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤2：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长N型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤3：在下欧姆接触层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长N型砷化镓上欧姆接触层，用来制作下欧姆电极，完成太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长。
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