[发明专利]刻蚀设备的控温装置及其控制晶片温度的方法有效
申请号: | 200610112568.8 | 申请日: | 2006-08-23 |
公开(公告)号: | CN101131917A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 刘利坚 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/683;C23F4/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵镇勇;王连军 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种刻蚀设备的控温装置及其控制晶片温度的方法,包括静电卡盘,静电卡盘上可放置晶片,静电卡盘上设有互不连通的中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道,中心背冷气体通道与晶片接触的部分紧密接触且密封良好,边缘背冷气体通道的边缘与晶片接触的部分接触面稍粗糙,或在静电卡盘的边缘设有一个或多个背冷气体泄漏孔,边缘背冷气体通道中的背冷气体可沿粗糙面或泄漏孔部分泄漏,中心背冷气体通道连接有压强控制器,边缘背冷气体通道连接有质量流量控制器。结构简单、使用方便,既可以改变晶片边缘部分的散热效果,又可以有效控制晶片的温度。本发明主要适用于半导体生产工艺中的控温系统,也适用于其它场合的控温。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 设备 装置 及其 控制 晶片 温度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀设备的控温装置,设于刻蚀设备的静电卡盘处,用于控制静电卡盘的温度,静电卡盘上可放置晶片,其特征在于,所述的静电卡盘上设有中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道,且所述中心背冷气体通道与边缘背冷气体通道不连通;所述中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道分别与气源连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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