[发明专利]一种超高密度垂直磁记录介质及其制备方法无效
| 申请号： | 200610112996.0 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101038754A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 许小红;王芳;李小丽;武海顺;靳焘 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/70;G11B5/73;G11B5/84;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 鲁兵 |
| 地址： | 04100*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明采用物理沉积方法，即磁控溅射方法提供一种超高密度垂直磁记录介质，以L10－CoPt为磁性层，包括基片、底层和磁性层，所述磁性层为CoPt与非磁性物质M交替沉积的多层膜，其中CoPt为等原子比的CoPt合金，非磁性物质M为碳C或氮化硼BN。该方法制造成本低，所得产品晶粒尺寸细小，且容易获得垂直取向，同时生产过程设备简单，实施方案设计简便易于操作，可大大提高生产效率，具有很好的工业化生产前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 密度 垂直 记录 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种超高密度垂直磁记录介质，以L10-CoPt为磁性层，包括基片、底层和磁性层，其特征在于，所述磁性层为CoPt与非磁性物质M交替沉积的多层膜，其中CoPt为等原子比的CoPt合金，非磁性物质M为碳C或氮化硼BN。
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