[发明专利]控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法无效
| 申请号： | 200610113213.0 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101148254A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 范犇;焦丽颖;刘忠范;张锦;张依 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯膜；(3)将覆有聚酯膜的基底置于碱溶液中加热使其微沸，至聚酯膜脱离生长基底而浮起；(4)以超纯水洗净聚酯膜，并将其贴于目标基底表面上，用高纯氮气吹干，再次置于烘箱中烘烤；(5)将表面贴有聚酯膜的目标基底经曝光、显影、定影过程除去聚酯膜，即可高效、方便的将单壁碳纳米管阵列结构保持原貌的控制转移到任意目标基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 转移 单壁碳 纳米 阵列 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，其步骤包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面上旋涂一层聚酯溶液，并置于烘箱中烘烤，除去溶剂，形成含有单壁碳纳米管阵列结构的聚酯膜；(3)将覆有聚酯膜的生长基底置于碱溶液中加热使其微沸，至聚酯膜脱离生长基底而浮起；(4)以超纯水洗净聚酯膜，并将其贴于目标基底表面上，用高纯氮气吹干，再次置于烘箱中烘烤；(5)贴有聚酯膜的目标基底经曝光、显影、定影过程除去聚酯膜，即可将单壁碳纳米管阵列结构保持原貌的控制转移到目标基底上。
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