[发明专利]一种制作氮化镓基激光器管芯的方法无效
| 申请号： | 200610113238.0 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101150243A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张书明;种明;朱建军;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作氮化镓基激光器管芯的方法，该方法包括：A.在制作的激光器外延结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；B.利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了P型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的N型接触区域；C.利用光刻胶作掩膜刻蚀出激光器的脊型结构，并保留剩余的光刻胶掩膜；D.在刻蚀出脊型结构的激光器上蒸镀或沉积介质膜隔离层；E.采用剥离的方法露出脊型表面的P型欧姆接触电极；F.采用光刻和蒸镀金属电极的方法形成激光器的P型加厚电极和N型欧姆接触电极。利用本发明，使激光器工作电流的注入均匀，进而易于制作脊型宽度窄的激光器，实现了激光器的基模工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 氮化 激光器 管芯 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作氮化镓GaN基激光器管芯的方法，其特征在于，该方法包括：A、在制作的激光器外延结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；B、利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了P型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的N型接触区域；C、利用光刻胶作掩膜刻蚀出激光器的脊型结构，并保留剩余的光刻胶掩膜；D、在刻蚀出脊型结构的激光器上蒸镀或沉积介质膜隔离层；E、采用剥离的方法露出脊型表面的P型欧姆接触电极；F、采用光刻和蒸镀金属电极的方法形成激光器的P型加厚电极和N型欧姆接触电极。
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