[发明专利]一种集成电路芯片产品寿命的评估方法无效
| 申请号： | 200610113289.3 | 申请日： | 2006-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1924596A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 欧阳浩宇;胡敏;宋鑫欣 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙洪;霍育栋 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路芯片产品寿命的评估方法，包含如下步骤：通过进行芯片动态工作模式下的功耗评估，来预估定位芯片局部温度最高的区域；在预估出的芯片局部温度最高的区域进行去封装处理；在芯片去封装的区域，用红外遥感探测仪分别量出常温下和高温环境下芯片动态工作模式下的裸片表面温度；用实测的芯片动态工作模式下的裸片表面温度作为艾恩尼斯模式中的Tuse和Tstress估算芯片的寿命。本发明通过采用红外遥感技术来探测IC动态工作模式下的裸片表面温度，并用实测的裸片表面温度作为艾恩尼斯模式中的Tuse和Tstress，可较为精确的估算IC的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 芯片 产品 寿命 评估 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路芯片产品寿命的评估方法，该方法包含如下步骤：步骤1：通过进行芯片动态工作模式下的功耗评估，来预估定位芯片局部温度最高的区域；步骤2：在预估出的芯片局部温度最高的区域进行去封装处理；步骤3：在芯片去封装的区域，用红外遥感探测仪分别量出常温下和高温环境下芯片动态工作模式下的裸片表面温度；步骤4：用实测的芯片动态工作模式下的裸片表面温度作为艾恩尼斯模式中的Tuse和Tstress估算芯片的寿命。
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