[发明专利]一种双频率高温光栅的制作方法无效
申请号: | 200610113298.2 | 申请日: | 2006-09-22 |
公开(公告)号: | CN1924622A | 公开(公告)日: | 2007-03-07 |
发明(设计)人: | 谢惠民;杜华;郭智强;方岱宁;戴福隆 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种双频率高温光栅的制作方法,属于光测力学技术领域。本发明的技术特点是在聚焦离子束显微镜这一成熟商品仪器环境下完成双频率高温光栅的制作,该方法操作简单、灵活、容易实现。通过调整聚焦离子束显微镜系统的放大倍数、束流强度、刻蚀深度、线间距等参数并利用系统自身的精密定位系统,在试件表面,或者在金属镀膜上制作出可变密度、可变深度的单向光栅、正交光栅及双频光栅,适用于各种温度环境下,各种基体材料微观变形行为的研究。 | ||
搜索关键词: | 一种 双频 高温 光栅 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种双频光栅的制作方法,其特征在于该方法包括如下步骤:1)将试件切割成所需要的形状,经清洗、抛光后,将试件平放在聚焦离子束显微镜的载物台上,使镀有金属薄膜的表面朝上,在聚焦离子束显微镜的操作环境下利用高能离子束对金属镀膜表面进行单一方向低频光栅的刻蚀;光栅的频率由扫描线间距确定,扫面线间距最低可调至50nm,光栅的刻蚀深度由束流强度和刻蚀时间确定,束流强度范围为1~20000pA;2)单一方向的低频光栅刻蚀结束之后,将扫描方向旋转90°,对金属镀膜表面的另一方向重复步骤1)进行刻蚀,进而得到正交的低频光栅;3)低频光栅刻蚀结束之后,利用定位系统将显微镜镜头聚焦到预刻蚀高频光栅的位置,首先刻蚀单一方向的高频光栅。高频光栅的频率由扫描线间距确定,高频光栅的刻蚀深度由束流强度和刻蚀时间确定,扫面线间距最低可调至50nm,光栅的刻蚀深度由束流强度和刻蚀时间确定,束流强度范围为1~20000pA;4)单一方向的高频光栅刻蚀结束之后,将扫描方向旋转90°,对金属镀膜表面的另一方向重复步骤3)进行刻蚀,进而得到正交的高频光栅。
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