[发明专利]声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件无效
| 申请号： | 200610113405.1 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154696A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张建国;王晓欣;成步文;余金中;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件，包括：一p－型或n－型间接带隙半导体材料衬底；一n重掺杂层制作在衬底上的一侧，其是器件的源区；一p重掺杂层制作在衬底上的另一侧，是器件的漏区；一负极制作在n重掺杂层上；一正极制作在p重掺杂层上；一有源区制作在衬底上的中间；一介质层或间接带隙半导体材料层制作在有源区上；一栅极制作在介质层上；一背部电极制作在衬底的下面；在n重掺杂层和p重掺杂层以及有源区中，镶有纳米尺度的二氧化硅、氮化硅、氮氧硅纳米颗粒或纳米孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 间接 半导体材料 横向 注入 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件，其特征在于，其中包括：-p-型或n-型间接带隙半导体材料衬底；-n重掺杂层，该n重掺杂层制作在p-型或n-型间接带隙半导体材料衬底上的一侧，该n重掺杂层是器件的源区；-p重掺杂层，该p重掺杂层制作在p-型或n-型间接带隙半导体材料衬底上的另一侧，该p重掺杂层是器件的漏区；一负极，该负极制作在n重掺杂层上；一正极，该正极制作在p重掺杂层上；一有源区，该有源区制作在p-型或n-型间接带隙半导体材料衬底上的中间；一介质层或间接带隙半导体材料层，该介质层或间接带隙半导体材料层制作在有源区上以及n重掺杂层和p重掺杂层中的靠近有源区的一部分上；一栅极，该栅极制作在介质层或间接带隙半导体材料层上；一背部电极，该背部电极制作在p-型或n-型间接带隙半导体材料衬底的下面；在n重掺杂层和p重掺杂层以及有源区中，镶有纳米尺度的二氧化硅、氮化硅、氮氧硅纳米颗粒或纳米孔洞。
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