[发明专利]一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法无效
| 申请号： | 200610113979.9 | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101168848A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 戴小林;吴志强;周旗钢;张果虎;王学锋 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法，它包括以下几个步骤：获得热屏倒影的数据；对数据进行处理，得到D；与D0进行比较D－D0差值输入模－数转换器，换算成控制埚升电机升速的电信号，提高或降低埚升电机的速度；反馈电路将升速的增量进行积分，并得到实际的D值；计算机计算D－D0差值，如果它为0，则保持埚升电机的上长速度与晶升速度的比例不变；否则，则增加或降低这个比例(根据D－D0差值的正负)。该方法操作方便，精度高，使用该方法可以控制直拉硅单晶体内的缺陷的种类以及在晶体内的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉硅单晶炉 液面 位置 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法，其特征在于：它采用CCD成像系统，从直拉硅单晶炉的观测窗口观测到硅单晶炉热屏内口的图像和热屏内口在硅液面上的倒影；经模-数转换，将数据输入计算机并运算，获得热屏底面与该液面的距离D值，经运算、数-模转换，再通过控制电路、驱动电路调节埚升速度，以控制熔硅液面位置。
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