[发明专利]高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200610114080.9 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1945862A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;达小丽;朱彦旭;徐晨;陈依新;黄红娟 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本发明提出在LED外延片上生长ITO透明导电膜与SixNy介质膜组成的复合增透膜结构，ITO透明导电膜的光学厚度为二分之一LED发射波长的整数倍，SixNy介质膜的光学厚度为四分之一LED发射波长的奇数倍，SixNy介质膜的折射率是LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方。这种设计能够在实现好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来实现最佳增透作用，极大的提高外量子效率，使得光强增加了130％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 提取 效率 半导体 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高提取效率的半导体发光二极管结构，包括LED外延片，其特征是在LED外延片的最上层半导体材料表面上依次生长光学厚度为1/2波长整数倍的ITO透明导电膜(3)和光学厚度为1/4波长奇数倍的SixNy介质膜(2)，并且SixNy介质膜(2)的折射率为LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方，P电极(1)的底部与ITO透明导电膜(3)直接接触，P电极(1)的侧壁与SixNy介质膜(2)直接接触。
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