[发明专利]一种改进的生长掺杂硅单晶体的方法及其装置无效
| 申请号： | 200610114123.3 | 申请日： | 2006-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101173369A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 方峰;郑沉;李铁柱;安国祥;周旗钢 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种改进的生长掺杂硅晶体的方法及其装置，所述的方法是：将多晶硅装入石英坩埚容器内加热熔化；在籽晶浸入熔体前和/或在以下引晶、放肩、转肩、等径初期晶体生长工序的至少一个工序中，将低熔点、易升华的掺杂剂从位于提拉室以外、设在生长室侧上方的对外密封的掺杂装置送到熔体中，以便在晶体生长过程中对熔体进行持续或间断的气相掺杂，再经等径后期、收尾、冷却停炉工作。本发明的优点：掺杂装置与生长室相通且保持真空密闭，因此在进行掺杂时不需要进行生长室/提拉室的隔离操作。不占用提拉室内拉晶工具，具备了在拉晶过程中对熔体进行掺杂的功能，采用本方法可提高掺杂效率，显著提高高掺杂、超低电阻率的晶体的生长效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 生长 掺杂 单晶体 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种改进的生长掺杂硅晶体的方法，其特征在于：它包括以下步骤：多晶硅装入石英坩埚容器内加热熔化；在籽晶浸入熔体前和/或在以下引晶、放肩、等径初期的晶体生长工序的至少一个工序中，将低熔点、易升华的掺杂剂从位于提拉室以外、设在生长室侧上方的对外密封的掺杂装置送到熔体中，以便在晶体生长过程中对熔体进行持续或间断的气体掺杂；再经等径后期、收尾、冷却停炉工序。
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