[发明专利]电磁-压阻式微机械谐振梁结构无效

专利信息
申请号: 200610114275.3 申请日: 2006-11-03
公开(公告)号: CN1945214A 公开(公告)日: 2007-04-11
发明(设计)人: 樊尚春;邢维巍;蔡晨光 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12;G01H11/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 贾玉忠;卢纪
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 电磁-压阻式微机械谐振梁结构,单梁两端固支于弹性基体上并被置于沿其宽度方向的磁场中,单梁固有频率受基体形变控制;单梁包括梁体和电阻层,电阻层包括压阻膜和导电膜;梁体为近似补偿掺杂的[100]单晶硅,压阻膜为N型外延膜,导电膜为重掺杂外延膜或溅射金属膜;压阻膜完整覆盖梁体表面,导电膜覆盖压阻膜表面中段短于梁体的部分。本发明的电阻层兼有电磁激振和压阻拾振功能,简化了结构;采用SOI晶圆加工单梁与基体的单晶硅整体结构,通过不同的掺杂调节单梁各层的预应力并控制结构稳定性。
搜索关键词: 电磁 式微 机械 谐振 结构
【主权项】:
1、电磁-压阻式微机械谐振梁结构,其特征在于:单梁(1)两端固支于弹性基体(2)上并被置于沿其宽度方向的磁场中,单梁1固有频率受基体(2)形变控制;单梁(1)包括梁体(11)和电阻层(12),电阻层(12)包括压阻膜(21)和导电膜(22),压阻膜(21)完整覆盖梁体(11)表面,导电膜(22)覆盖压阻膜(21)表面中段短于梁体(11)的部分;单梁(1)和基体(2)采用SOI晶圆,通过外延和湿法刻蚀工艺加工而成。
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