[发明专利]一种测量小光斑尺寸的方法无效
申请号: | 200610114405.3 | 申请日: | 2006-11-09 |
公开(公告)号: | CN101178304A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 赵德刚;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02;G01B7/02;G01J1/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种测量小光斑尺寸的方法,采用半导体光伏探测器,根据半导体光伏探测器光电流大小与入射光强度成正比的原理,通过改变入射光在半导体光探测器边缘处移动时所导致半导体光探测器的电流响应度的变化,测量出入射光斑的尺寸大小。利用本发明,能够测量出入射光斑的尺寸大小,并且简单、可行,对于实验室相关的光学测量具有很好的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 光斑 尺寸 方法 | ||
【主权项】:
1.一种测量小光斑尺寸的方法,其特征在于,该方法采用半导体光伏探测器,根据半导体光伏探测器光电流大小与入射光强度成正比的原理,通过改变入射光在半导体光探测器边缘处移动时所导致半导体光探测器的电流响应度的变化,测量出入射光斑的尺寸大小。
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