[发明专利]具有外加磁场的真空淀积薄膜和薄膜热处理设备无效
| 申请号： | 200610114464.0 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101177775A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 曹玲柱;孙志辉;宁廷银;赵嵩卿;张洪艳;周岳亮;陆珩;杨慧;金奎娟;吕惠宾;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/58;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有外加磁场的真空淀积薄膜和薄膜热处理设备，包括样品室和在样品室一端设有进气口的球形进气室，另一端通过密封机构与真空机组的管道相通，样品室设真空计；密封机构的压丝和密封接头中间放置密封橡胶圈，压丝与密封接头螺合固定在真空室另一端口上，该端口通过密封机构与真空机组的管道连通，加热器的导线引出后与温度控制电源电连接；密封接头侧壁上开有水进口和出口；加热器架固定在密封接头上；红外测温仪设置在真空腔外；外加磁场系统由2个电磁铁和铁芯，分别设置在样品室两边，并且两块铁芯的N极，S极相对设置，两块电磁铁与磁场控制电源电连接。用该设备制备薄膜和进行热处理后的样品性能得到提高，该设备结构制造简单。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外加 磁场 真空 薄膜 热处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种具有外加磁场的真空淀积薄膜和薄膜热处理设备，包括样品室(14)，在所述的样品室(14)内安装一加热器(12)，该加热器(12)安装在加热器架(11)上，并通过红外测温仪(5)与温度控制电源(13)电连接，加热器(12)与温度控制电源(13)电连接组成的温度控制系统；以及一由真空计(16)、真空机组与样品室(14)密封连通组成的真空系统(4)；其特征在于：所述的样品室(14)由一根石英玻璃管(17)，和在石英玻璃管(17)一端密封安装球形进气室(15)，该球形进气室(15)上设有进气口，另一端通过密封机构与真空机组的管道相连通，以及所述的真空计(16)密封安装在样品室(14)壁上组成；所述的密封机构由一中间开孔的帽状的压丝(6)，和一中间开孔的“凹”状的密封接头(7)，其压丝(6)和密封接头(7)中间放置一密封橡胶圈(8)，并且压丝(6)与密封接头(7)螺合固定在真空室(14)的另一端口上组成，该端口通过所述的密封机构与真空机组的管道连通，以及将安装在样品室(14)内的加热器(12)的导线引出；密封接头(7)的侧壁上开有冷却循环水(9)的进口和出口；所述加热器架(11)固定在密封接头(7)上；所述红外测温仪(5)设置在真空腔外；还包括磁场系统，所述的磁场系统由2个电磁铁(1)和铁芯(2)，分别设置在样品室(14)两边，并且两块铁芯的NS极相对设置，两块电磁铁通过磁场控制电源(3)电连接。
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