[发明专利]基于肖特基SiGe异质结晶体管无效
| 申请号： | 200610114582.1 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1949534A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘道广;严利人;周卫;许军;徐世六 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件结构范围的一种基于肖特基SiGe异质结晶体管。是在SBD结构晶体管的结构基础上用SiGe异质结代替上述SBD结构晶体管的P结，使形成N+、N+－BL、N、P+SiGe、N+ploy－Si结构的肖特基SiGe异质结晶体管。其P+SiGe层在E极下面和N层的上面，并且P+SiGe、N和B极相连。所述E极为N+ploy－Si材料制成。该肖特基SiGe异质结晶体管不改变晶体管的版图结构，但是，把肖特基SiGe异质结晶体管结构去代替TTL电路中可能进入饱和态的晶体管，形成基于SiGe异质结STTL电路，这样可以大幅度提高电路的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 肖特基 sige 结晶体 | ||
【主权项】：
1.一种基于肖特基SiGe异质结晶体管，所述SBD结构的晶体管是在Si基底上，制成N+-BL、N、P+、P、N+结构，P、N层同时连接B极的具有C、E、B极的晶体管，其特征在于，用异质结P+SiGe层代替上述SBD结构晶体管的P型基区，使形成N+-BL、N、P+SiGe、N+ploy-Si结构的肖特基SiGe异质结晶体管。
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