[发明专利]具有相变层的光记录介质和该光记录介质的制备方法无效
| 申请号： | 200610114810.5 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1941124A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 柳寅儆;郑守桓;金仁淑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26;B32B3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供具有相变材料膜的光记录介质和制备光记录介质的方法。在该方法中，首先在基材上顺序堆叠相变材料膜、牺牲膜和金属膜。然后，将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲薄膜部分阳极化形成氧化膜，然后，通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案。然后，自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜上沉积上绝缘膜、反射膜和保护膜。该光记录介质通过所用自对准方法简单制造，并可具有高集成大容量记忆。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 相变 记录 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备光记录介质的方法，该方法包括：在基材上顺序堆叠反射膜、相变材料膜、牺牲膜和金属膜；将金属膜阳极化形成具有多孔空穴的金属氧化物膜，并将经空穴暴露的牺牲膜部分阳极化形成氧化物膜；通过除去金属氧化物膜并通过刻蚀牺牲膜和使用牺牲膜的氧化物膜作为掩模的相变材料膜，使相变材料膜形成图案；和自牺牲膜除去氧化膜，并在图案化的相变材料膜的上表面上沉积绝缘膜和保护膜。
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