[发明专利]用于双位闪速存储器装置中的参考电路的系统及方法有效

专利信息
申请号: 200610114851.4 申请日: 2006-08-09
公开(公告)号: CN1929029A 公开(公告)日: 2007-03-14
发明(设计)人: 郭乃萍;陈汉松;陈耕晖;洪俊雄 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/34
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种双位闪速装置包括一个核心单元阵列,任意一个该核心单元阵列的单元用于储存双位数据,以及单一参考阵列,任意一个参考阵列单元包括一个编程为低门限电压的第一位与一个编程为高门限电压的第二位。
搜索关键词: 用于 双位闪速 存储器 装置 中的 参考 电路 系统 方法
【主权项】:
1、一种双位闪速装置,其包括:一个核心单元阵列,该核心单元阵列的每一个单元用于储存双位的数据;以及一个单一参考阵列,该参考阵列的任意一个单元包括以一低门限电压编程的一个第一位以及以一高门限电压编程的一个第二位。
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