[发明专利]耐热性保护薄膜,其制造方法及电气电子元件有效
| 申请号： | 200610114926.9 | 申请日： | 2001-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1940137A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 菅原章;成枝宏人;尾崎太一 | 申请（专利权）人： | 同和矿业株式会社 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C23F17/00;H01B5/00;B32B15/01 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有优良的耐热性，成形加工性，焊锡焊接性能的材料表面的保护膜和该保护膜的制造方法，以及带有这种保护膜的电气电子元件。在铜合金等材料的表面上形成从材料表面依次为Ni或Ni合金层、Cu层、Sn或Sn合金层构成的保护层。在形成保护层后进行300～900℃，1～300秒的重熔处理，从而形成以下构造的耐热性保护膜，其构造为最外层的层厚X为0.05～2μm的Sn层或Sn合金层，其内层的层厚Y为0.05～2μm的以Cu－Sn为主体的金属间化合物层，最内层的层厚Z为0.01～1μm的Ni或Ni合金层(X，Y，Z满足以下条件：0.2X≤Y≤5X，并且0.05Y≤Z≤3Y)。 | ||
| 搜索关键词： | 耐热性 保护 薄膜 制造 方法 电气 电子元件 | ||
【主权项】：
1.耐热性保护薄膜，其特征在于，由最表面层为层厚X 0.05～2μm的Sn层或Sn合金层，其内侧层为层厚Y 0.05～2μm的含有以Cu-Sn为主体的金属间化合物的层，最内层为层厚Z 0.01～1μm的Ni或Ni合金层构成，其中0.2X≤Y≤5X，并且0.05Y≤Z≤3Y。
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