[发明专利]功率半导体封装方法和结构有效
| 申请号： | 200610115024.7 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1917158A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | R·A·费利昂;R·A·博普雷;A·埃拉塞尔;R·J·沃纳洛夫斯基;C·S·科尔曼 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体芯片封装结构，包括电介质膜(10)，该电介质膜(10)具有与至少一个功率半导体芯片(21)的一个或多个接触垫(22)和(23)对准的一个或多个通孔(11)。邻近电介质膜(10)的图案化的导电层(40)具有一个或多个导电柱(41)，其延伸通过与接触垫(22)和(23)对准的该一个或多个通孔(11)，以将导电层(40)电耦接至接触垫(22)和(23)。在特定实施例中，可在电介质膜(10)和该至少一个功率半导体芯片(21)的有源表面(24)之间形成一个或多个空气隙(91)。还公开了用于制备该半导体芯片封装结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制备功率半导体芯片封装结构的方法，包括：提供具有第一表面和第二表面的电介质膜(10)；提供具有有源表面(24)和相对的背表面(25)的至少一个功率半导体芯片(21)，该芯片(21)具有在有源表面(24)上的一个或多个接触垫(22)和(23)；邻近电介质膜(10)的第一表面施加粘附层(20)；通过使该有源表面与粘附层(20)物理接触，将电介质膜(10)粘附到该至少一个功率半导体芯片(21)的有源表面；邻近电介质膜(10)的第二表面形成图案化的导电层(40)，该导电层(40)延伸通过形成在电介质膜(10)中的一个或多个通孔(11)，以形成与该一个或多个接触垫(22)和(23)的电接触；以及去除粘附层(20)，以在电介质膜(10)和该至少一个功率半导体芯片(21)的有源表面(24)之间形成一个或多个空气隙(91)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
