[发明专利]光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610115026.6 | 申请日： | 2001-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1905300A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | T·阿尔布雷希特;N·林德;J·卢夫特 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/04;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹若;赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 抽运 表面 发射 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.光抽运的表面发射半导体激光器件，具有至少一个产生辐射的量子阱结构(11)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，其中抽运辐射源(20)具有一个边缘发射的半导体结构(21)，其特征为，产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射半导体结构(21)分别具有一个半导体层序列，该层序列在一个共同的衬底(1)上用外延法依次生长，并且所述半导体激光器件适用于一个外部的谐振器。
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