[发明专利]欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法与半导体装置无效
| 申请号： | 200610115030.2 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1917231A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 见田充郎;海部胜晶 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/772;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种与将欧姆电极设置成不到异质界面深度的情况相比，能够降低欧姆电极和电子移动层之间的接触电阻的欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法和半导体装置。欧姆电极(62)设置在构造体上，该构造体具备形成在衬底(16)的由第一半导体层构成的电子移动层(20)、包含与电子移动层异质接触的电子亲和力比第一半导体层小的第二半导体层的电子供给层(22)以及在异质界面(34)附近的电子移动层中感应出的二维电子层(36)，其中，欧姆电极的衬底(16)的主面(16a)侧的端部配置在贯通电子供给层大于等于异质界面深度的电子移动层中，并且，与将衬底的主面侧的端部(66)设置成不到异质界面深度的情况相比，更进一步降低欧姆电极和电子移动层之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 电极 制造 方法 场效应 晶体管 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种欧姆电极，设置在结构体上，所述结构体具备：电子移动层，由形成在衬底的主面侧的第一半导体层构成；电子供给层，与所述电子移动层在异质界面上异质接合，并且，包含形成在所述电子移动层上的电子亲和力比所述第一半导体层小的第二半导体层；二维电子层，由从所述异质界面起到所述电子移动层中感应出的二维电子气体构成，所述欧姆电极的特征在于，该欧姆电极的所述主面侧的一端部配置成从所述电子供给层的上表面起贯通该电子供给层大于等于所述异质界面深度并且不超过所述电子移动层的深度，并且，与将所述主面侧的一端部配置成从所述电子供给层的上表面起到浅于所述异质界面的深度的情况相比，这种情况下的所述欧姆电极和所述电子移动层之间的接触电阻为较低的值。
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