[发明专利]氮化物半导体元件无效
| 申请号： | 200610115099.5 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1921147A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤渉;小野村正明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：层叠体，具有由氮化物半导体构成的第1半导体层，和设在所述第1半导体层之上、由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；控制电极，设在所述层叠体的主面上的第1区域内；第1以及第2主电极，分别设在所述层叠体的主面上的与所述第1区域的两端相邻的第2以及第3区域内；以及第3主电极，在所述层叠体的主面上夹着所述第2主电极而设在与所述控制电极相反的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：层叠体，具有由氮化物半导体构成的第1半导体层，和设在所述第1半导体层之上、由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；控制电极，设在所述层叠体的主面上的第1区域内；第1以及第2主电极，分别设在所述层叠体的主面上的与所述第1区域的两端相邻的第2以及第3区域内；以及第3主电极，在所述层叠体的主面上夹着所述第2主电极而设在与所述控制电极相反的一侧。
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