[发明专利]半导体集成电路设备和高频功率放大器模块有效

专利信息
申请号: 200610115199.8 申请日: 2006-08-30
公开(公告)号: CN1925325A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 三浦俊广;赤岭均;重野靖;中岛秋重;土屋雅裕 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H03K17/06 分类号: H03K17/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李春晖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了半导体集成电路设备和高频功率放大器模块。改善SPDT开关中的开关特性以便减少高功率时隙后跟着的低功率时隙中的上升延时。分别给SPDT的控制端子提供回流防止电路。将回流防止电路配置成具有两个晶体管和一个二极管。在发送模式中,例如当高功率通过晶体管的时隙后跟着低功率通过的时隙时,阻断晶体管的栅极上积累的电荷。在晶体管处于OFF状态的情况下,立即对晶体管的栅极上积累的电荷放电,以便允许完全断开晶体管。
搜索关键词: 半导体 集成电路 设备 高频 功率放大器 模块
【主权项】:
1.一种在移动通信设备中使用的半导体集成设备,包括:与天线相连接的第一端子;与发送电路相连接的第二端子;与接收电路相连接的第三端子;在所述第一端子和所述第二端子之间提供的、用来切换所述第一和第二端子之间的连接的开关晶体管;对其输入所述开关晶体管的控制信号的第四端子;升压电路,用于当通过所述第四端子输入信号时取得通过所述开关晶体管输出的发送信号,产生高于输入信号的电压电平的升压电压,并将升压电压施加到所述开关晶体管的控制端子上;以及电压控制器,用于执行控制以便当通过所述开关晶体管输出的发送信号的信号电平降低时,所述开关晶体管的漏极电压不高于所述开关晶体管的栅极电压。
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