[发明专利]移位寄存器电路有效
| 申请号： | 200610115495.8 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1921016A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 郑宝容;金烘权;金金男 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种移位寄存器电路，所述移位寄存器电路提高了生产率，降低了成本，并且可实现拉－摆(pull－swing)驱动和低功耗。所述移位寄存器是包括多个PMOS晶体管和电容器的四相移位寄存器电路。所述移位寄存器电路包括n(n是整数)个寄存器级，每个寄存器级连接到起始脉冲输入线或者前一个寄存器级的输出电压线，并且连接到四个时钟信号供应线中的三个。所述n个寄存器级的每个包括电路，所述电路确保每个寄存器级的输出级将所述输出驱动为第一电源和第二电源中的任一个，而不是将所述输出驱动为第一电源和第二电源两者。 | ||
| 搜索关键词： | 移位寄存器 电路 | ||
【主权项】：
1、一种包括n(其中，n是整数)个寄存器级的移位寄存器电路，每个寄存器级连接到起始脉冲输入线或者前一个寄存器级的输出电压线，并且连接到四个时钟信号供应线中的三个，其中，所述n个寄存器级的每个包括：第一晶体管，包括第一栅极和第一漏极，其中，所述第一栅极和第一漏极结合到前一个寄存器级的输出电压线或者第一起始脉冲输入线；第二晶体管，结合在第一节点和所述第一晶体管之间，并且包括第二栅极，所述第二栅极结合到第一信号输入线；第三晶体管，结合在第二节点和第二电源之间，并且包括第三栅极，所述第三栅极结合到第二信号输入线；第四晶体管，结合到所述第二节点、第一电源和当前寄存器级的输出电压线；第五晶体管，结合到所述第一节点、第三信号输入线和当前寄存器级的输出电压线；第八晶体管部件，结合到所述第一电源、所述第一节点和所述第二节点。
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