[发明专利]非易失性存储单元的空穴退火方法有效
| 申请号： | 200610115540.X | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1933022A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吕文彬;古绍泓 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述一种在氮化物储存存储单元擦除之后的空穴退火方法，用于补偿被捕捉的空穴，使空穴的重新释放最小化，以降低临界电压明显偏移至较高的值。将软电子编程用在所选出的氮化物储存存储单元，此氮化物存储单元被查出具有高于预定临界电压(EV)减去字线差距X的临界电压。软电子编程的效果在于中和氮化物储存存储单元的擦除所引起的过多空穴，可降低临界电压偏移至较高的值。在实施例中，空穴退火方法描述软热电子编程氮化物存储阵列的块中的氮化物储存存储单元，此氮化物储存存储单元具有高于预定临界电压减去字线差距X的临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 空穴 退火 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于对非易失性存储阵列进行空穴退火的方法，其中，每一个非易失性存储单元具有置于第一绝缘材料及第二绝缘材料之间的非导电的电荷捕捉材料，所述方法包含：对于一个或多个非易失性存储单元中其临界电压高于擦除确认电平减去第一字线差距(EV-X)的非易失性存储单元，记录为读失败的非易失性存储位；通过注入电子以补偿在所述第一绝缘材料中被捕捉的空穴，使用弱热电子编程在被查出为读失败的存储位的所述一个或多个非易失性存储位进行软退火；以及检查所述读失败的非易失性存储单元过度退火，使得所述非易失性存储单元中的所述临界电压高于预定的过度退火电压电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610115540.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
