[发明专利]有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
申请号: | 200610115554.1 | 申请日: | 2006-08-18 |
公开(公告)号: | CN1917226A | 公开(公告)日: | 2007-02-21 |
发明(设计)人: | 金保成;洪雯杓;李容旭;吴俊鹤;宋根圭;赵承奂 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括:衬底;数据线,形成衬底上;栅极线,与数据线交叉且包括栅电极;第一层间绝缘层,形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口;栅极绝缘体,形成于第一开口中;源电极,设置于栅极绝缘体上且连接到数据线;像素电极,设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极;绝缘岸,形成于源电极和漏电极上,绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口;和有机半导体,形成于第二开口中。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种有机薄膜晶体管阵列面板,包括:衬底;数据线,形成所述衬底上;栅极线,与所述数据线交叉且包括栅电极;第一层间绝缘层,形成于所述栅极线和所述数据线上且具有暴露所述栅电极的第一开口;栅极绝缘体,形成于所述第一开口中;源电极,设置于所述栅极绝缘体上且连接到所述数据线;像素电极,设置于所述栅极绝缘体上且包括与所述源电极相对的漏电极;绝缘岸,形成于所述源电极和所述漏电极上,所述绝缘岸界定暴露部分的所述源电极和所述漏电极的第二开口;和有机半导体,形成于所述第二开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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