[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200610115582.3 | 申请日： | 2006-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1917242A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 藤井孝佳;户野谷纯一;小松哲郎;十河敬宽;井口知洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的LED芯片包括：圆柱形GaP基片，其中在其外壁表面中形成了锥形部分，该锥形部分的外形在朝着上底面一侧变窄；上表面电极，置于GaP基片的上底面；发光层，置于GaP基片的下底面；以及下表面电极，置于相对于发光层而言与GaP基片相对置的一表面，该下表面电极排列在与上表面电极相对的区域以外的环形区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，它包括：圆柱形基片，其中锥形部分形成于外壁表面中，所述锥形部分的外形在朝着上底面一侧变窄；上表面电极，置于所述基片的上底面；发光层，置于所述基片的下底面；以及下表面电极，所述下表面电极置于相对于所述发光层的与所述基片相反的一表面，所述下表面电极排列在与所述上表面电极相对的区域以外的环形区域中。
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