[发明专利]单电荷隧道器件有效
| 申请号： | 200610115794.1 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101026188A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 约尔格·翁德里;大卫·威廉斯;托马斯·琼沃思;安德鲁·欧文;布赖恩·加拉格尔 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种单电子晶体管(1)具有形成在5nm厚的Ga0.98Mn0.02As层(4)中的伸长导电沟道(2)和侧栅极(3)。该单电子晶体管(1)可在第一模式下作为晶体管工作，及在第二模式下，作为非易失性存储器工作。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 隧道 器件 | ||
【主权项】：
1.一种单电荷隧道器件，包括第一和第二引脚(8，9)；和导电岛(10)，配置成电荷可通过该导电岛从第一引脚向第二引脚迁移；栅极(3)，用于改变导电岛的静电能；其中，所述第一引脚，第二引脚，岛和栅极中至少一个包括铁磁材料，该铁磁材料响应于磁化方向的变化表现出化学势的变化。
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