[发明专利]光反射率受控的光电二极管元件及其制造方法

摘要

一种光电二极管元件(1)，包括：至少一个光敏区域(3)，制作在硅半导体衬底(2)中，用于接收光，具体地说相干光；以及钝化层和介电层(4)。所述钝化层由制作在所述光敏区域上的至少一个氧化硅第一层(5)和氮化物第二层(6)构成。制作的所述氮化物第二层具有在确定余量内的厚度，以便与所述第一层的厚度无关地位于具有最恒定的可能光反射率的范围内。为了获得由所述光电二极管元件感应的光的反射率百分比平均值，可以在与所述光敏区域的接收表面的一半对应的所述介电层(4)的一部分上或所述第一层(5)上进行蚀刻(7)。

主权项

1.一种光电二极管元件(1)，包括：至少一个光敏阱区域(3)，制作在硅半导体衬底(2)中，用于接收相干光；至少一个氧化硅层(5)，制作在所述光敏区域上；以及在所述氧化硅层上的至少一个氮化物层(6)，所述光电二极管元件的特征在于，为了与所述氧化硅层的厚度无关地获得反射率百分比基本上恒定的层，所述氮化物层的厚度在这样的两个厚度之间的确定余量内，所述两个厚度与依赖于被感应的所述相干光的波长的所述氮化物层的两个连续反射率最大值对应。