[发明专利]利用粉末状靶材制备碲化铋薄膜的单靶溅射方法

摘要

本发明涉及一种利用单靶射频磁控溅射设备制备化合物薄膜的方法，其特点在于包括：(1)放弃常用的块状靶材，采用混合粉末直接作为靶材，省去固化烧结过程，且便于改变靶材成分；(2)利用射频源小功率溅射混合均匀的靶材粉末，并通过控制Ar气流量改变工作气压，简化起辉过程；(3)通过对所得薄膜成分分析，找出溅射规律，可用于设计靶材成分制备特定组分薄膜。本发明适用于在单靶射频溅射条件下，操作简单、周期较短且成分可控地制备化合物薄膜，具有较好的应用前景。

主权项

1、一种利用粉末状靶材制备碲化铋薄膜的单靶溅射方法，其特征在于，所述的方法具有以下步骤：1)根据所需制取的薄膜设计靶材组分，使其符合如下比例关系：Te在靶材中的摩尔浓度/Te在所需薄膜中的摩尔浓度＝1/1.3；2)按上述比例将纯Bi粉和Te粉称量，使其组分均匀混合作为靶材，再将混合粉末倒入射频磁控溅射镀膜机的Al制凹槽形托盘中，铺设均匀并保持表面平整；3)按照溅射强度为1W/cm2，根据混合粉末靶材的面积选用溅射功率；在小于或等于2*10-3Pa气压下，将工作气体Ar气通入溅射腔室并稳定在3～5Pa，逐渐提高工作电压直至起辉；第一次溅射时调整电容使反射功率为零，并调整电压达到溅射功率，溅射结束后保留电容和电压值，以后溅射时直接打开射频源就可稳定起辉；起辉后再降低Ar气流量，使工作气压达到0.5Pa，稳定溅射，沉积，制得所需薄膜。