[发明专利]晶体生长原料处理方法

摘要

本发明公开了一种晶体生长原料的处理方法，特点是将原料按照比例称量，充分混合，加压5～20KPa成需要的形状，在800～1100℃温度下烧结；将烧结后的原料在有保护气的氛围下的化料坩埚中化料，然后在密闭环境中将熔化后的原料转入生长坩埚。本方法由于整个原料处理过程在密闭环境中进行，适宜于有挥发性原料的预处理，特别适用于有毒气体挥发的原料处理。

主权项

1.一种晶体生长原料处理方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将原料按照比例称量，充分混合后，加压5～20KPa成需要的形状，在800～1100℃温度下烧结；(2)烧结后的原料一部分转移到预先装有确定方向籽晶的生长坩埚籽晶上部形成1-2厘米厚度籽晶保护层；(3)烧结后的原料另一部分转入化料坩埚后将坩埚上盖密闭，将化料坩埚转移到化料炉后将化料坩埚抽气使之形成真空，然后再向化料坩埚中通入保护气体，关闭化料炉门；(4)将生长坩埚套在化料坩埚的下料管上，保证二者之间的密封性能够良好，并确保下料管上的开关关上；加热升至熔点化料，在不对称温场中温差作用下混合均匀，原料熔化后恒温半小时；(5)将下料管开关打开，熔化后的原料沿下料管流入生长坩埚中，将化料炉升高50℃左右使原料充分熔化能够在重力作用下完全流入生长坩埚中，生长坩埚的下部在冷却水的作用下使熔料迅速凝固成多晶料，在温度控制系统的作用下降温至室温，关闭下料管开关，移出生长坩埚，整个原料处理过程结束。