[发明专利]近场光增强的合金薄膜元件无效
| 申请号： | 200610116265.3 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1925038A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 瞿青玲;王阳;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B11/00 | 分类号： | G11B11/00;G11B7/24;C22C12/00;C22C13/00;C22C9/01;C22C29/00;C22C30/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种近场光增强的合金薄膜元件，其特征在于它是在一衬底上涂制的单层的共晶合金薄膜或偏离共晶成分不超过2wt％的合金薄膜。所述的共晶合金为二元共晶合金，或三元共晶合金。本发明近场光增强的合金薄膜元件，在激光作用下熔化并快速凝固过程中会析出不同成分的固相而形成规则排列的微结构，如层片状、晕圈状或杆状显微组织结构等，利用薄膜中的这些规则排列的显微组织结构可以使近场光得到显著增强。 | ||
| 搜索关键词： | 近场 增强 合金 薄膜 元件 | ||
【主权项】：
1、一种近场光增强的合金薄膜元件，其特征在于它是在一衬底上涂制的单层的共晶合金薄膜或偏离共晶成分不超过2wt％的合金薄膜。
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